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數(shù)字存儲(chǔ)圖示儀測(cè)量MOSFET的開(kāi)啟電壓(Gate Threshold Voltage),方法2

以IRFP460為例,測(cè)試條件為ID=250μA,連接見(jiàn)圖,D和G短路接儀器C端,S接儀器E端。
掃描電源:10V
電源極性:NPN(+)
測(cè)試模式:重復(fù)
功耗電阻:100Ω
柵極電阻:0Ω
垂直:0.1mA/格   移位Y0=+0.1mA
水平:1V/格      移位X0=0
階梯:1V/級(jí) 
階梯級(jí)數(shù):10級(jí)

將“掃描電源%”旋鈕調(diào)到0位置,啟動(dòng)測(cè)試后慢慢調(diào)高“掃描電源%”旋鈕,使曲線超出250μA,則MOSFET已經(jīng)開(kāi)啟,開(kāi)啟電壓就是ID=250μA處的電壓。如圖57,實(shí)測(cè)開(kāi)啟電壓為2.978V。

 

 

 

 

 

 

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